IT之家 8 月 19 日消息✿ღ✿，湖北九峰山实验室今日官宣✿ღ✿，该实验室近日在磷化铟（InP）材料领域取得重要技术突破✿ღ✿，成功开发出 6 英寸磷化铟（InP）基 PIN 结构探测器和 FP 结构激光器的外延生长工艺✿ღ✿，关键性能指标达到国际领先水平

　　这一成果也是国内首次在大尺寸磷化铟材料制备领域实现从核心装备到关键材料的国产化协同应用✿ღ✿，为光电子器件产业化发展提供重要支撑日韩卡1卡2卡三卡免费网站mg不朽情缘游戏在线试玩✿ღ✿。

　　作为光通信✿ღ✿、量子计算等领域的核心材料✿ღ✿，磷化铟（InP）材料的产业化应用长期面临大尺寸制备的技术瓶颈✿ღ✿，业界主流停留在 3 英寸工艺阶段✿ღ✿，高昂的成本使其无法满足下游产业应用的爆发式增长mg不朽情缘游戏在线试玩✿ღ✿。

　　九峰山实验室依托国产 MOCVD 设备与 InP 衬底技术mg不朽情缘游戏在线试玩✿ღ✿，突破大尺寸外延均匀性控制难题✿ღ✿，首次开发出 6 英寸磷化铟（InP）基 PIN 结构探测器和 FP 结构激光器的外延生长工艺✿ღ✿，关键性能指标达到国际领先水平✿ღ✿，为实现 6 英寸磷化铟（InP）光芯片的规模化制备打下基础✿ღ✿。

　　九峰山实验室表示日韩卡1卡2卡三卡免费网站✿ღ✿，在全球光电子产业高速发展的背景下mg不朽情缘游戏在线试玩✿ღ✿，光通信日韩卡1卡2卡三卡免费网站✿ღ✿、激光雷达mg不朽情缘游戏在线试玩✿ღ✿、太赫兹通信等领域对磷化铟（InP）的需求呈现爆发式增长✿ღ✿。据 Yole 预测日韩卡1卡2卡三卡免费网站✿ღ✿，磷化铟（InP）光电子市场规模 2027 年将达 56 亿美元（IT之家注✿ღ✿：现汇率约合 402.33 亿元人民币）✿ღ✿，年复合增长率（CAGR）达 14%✿ღ✿。6 英寸磷化铟（InP）工艺的突破mg不朽情缘游戏在线试玩✿ღ✿，有望推动国产光芯片成本降至 3 英寸工艺的 60%-70%✿ღ✿，有助于增强国产光芯片市场竞争力✿ღ✿。

　　九峰山实验室本次联合国内供应链实现全链路突破✿ღ✿，对促进我国化合物半导体产业链协同发展有着重要影响✿ღ✿，也为产业链自主可控奠定了基础✿ღ✿。例如✿ღ✿，九峰山实验室本次技术突破中 6 英寸磷化铟（InP）衬底合作方云南鑫耀的 6 英寸高品质磷化铟单晶片产业化关键技术已实现突破✿ღ✿，量产在即✿ღ✿。未来✿ღ✿，实验室将持续优化 6 英寸 InP 外延平台✿ღ✿，推动下游产品验证日韩卡1卡2卡三卡免费网站✿ღ✿，提升产业链自主可控能力日韩卡1卡2卡三卡免费网站✿ღ✿，推动我国光电子产业升级日韩卡1卡2卡三卡免费网站✿ღ✿。返回搜狐✿ღ✿，查看更多不朽情缘官方网站✿ღ✿，不朽情缘mg✿ღ✿。不朽情缘app下载✿ღ✿！mg不朽情缘游戏在线试玩✿ღ✿，